9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDZ202P，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDZ202P参考价格为11.332美元。onsemi FDZ202P封装/规格：MOSFET P-CH 20V 5.5A 12BGA。您可以下载FDZ202P英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDZ191P是MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.001905盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于6-UFBGA、WLCSP以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的6-WLCSP，配置为单一，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为900mW，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Ciss Vds为800pF@10V，FET特性为逻辑电平门，1.5V驱动，电流连续漏极Id 25°C为3A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为85mOhm@1A，4.5V，Vgs最大Id为1.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为13nC@10V，Pd功耗为1.5W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10ns，上升时间为10s，Vgs栅极-源极电压为8V，Id连续漏极电流为3A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds导通漏极-漏极电阻为67mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为50ns，典型导通延迟时间为11ns，并且前向跨导Min为7S，并且信道模式为增强。
FDZ193P是MOSFET P-CH 20V 3A 8-WLCSP，包括12 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.001905盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如13 ns，典型的关闭延迟时间设计为28 ns，以及1 P沟道晶体管类型，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件以10 ns上升时间提供，器件具有66 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为1.5 W，封装为卷轴，封装外壳为WLCSP-6，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为3A，正向跨导最小值为5.6S，下降时间为10ns，配置为单双漏三源，信道模式为增强。
FDZ197PZ是MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-WLCSP，包括增强信道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于280 ns，提供正向跨导最小特性，如21 S，Id连续漏极电流设计为在-3.8 a下工作，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55℃。此外，安装类型为SMD/SMT，器件提供1通道数的通道，器件具有WLCSP-6封装盒，封装为卷轴，Pd功耗为1.9 W，漏极电阻为68 mOhm，上升时间为5.9 ns，技术为Si，晶体管极性为P沟道，晶体管类型为1P沟道，典型关断延迟时间为311ns，典型接通延迟时间为5.8ns，单位重量为0.001905oz，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Vgs栅极-源极电压为8V。
