9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STD27N3LH5，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STD27N3LH5参考价格为2.138美元。STMicroelectronics STD27N3LH5封装/规格：MOSFET N-CH 30V 27A DPAK。您可以下载STD27N3LH5英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STD26P3LLH6是MOSFET P-CH 30V 12A DPAK？，STripFET？VI系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-252-3、DPak（2引线+标签）、SC-63以及Si技术，其工作温度范围为175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件包的DPAK，配置为单通道，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为40W，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为1450pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为12A（Tc），最大Id Vgs的Rds为30 mOhm@6A，10V，Vgs的最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为12nC@4.5V，Pd功耗为40 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为21 ns，上升时间为15ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为12A，Vds漏极-源极击穿电压为-30V，Vgs第h栅极-源阈值电压为2.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为30mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为24ns，典型导通延迟时间为15s，Qg栅极电荷为26nC。
STD26NF10是MOSFET N-CH 100V 25A DPAK，包括4V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在20 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于100 V，提供单位重量功能，如0.13932 oz，典型开启延迟时间设计为17 ns，以及60 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件采用Si技术，器件具有D-Pak供应商器件包，系列为STripFET？二、 上升时间为60 ns，Rds On Max Id Vgs为38 mOhm@12.5A，10V，Rds On Drain Source Resistance为38 mOhms，Power Max为100W，Pd功耗为100 W，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为TO-252-3，DPak（2引线+标签），SC-63，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），通道数量为1通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+175 C，输入电容Cis-Vds为1550pF@25V，Id连续漏极电流为25A，栅极电荷Qg-Vgs为55nC@10V，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物和FET特性为标准，下降时间为15 ns，漏极到源极电压Vdss为100V，电流连续漏极Id 25°C为25A（Tc），配置为单通道，通道模式为增强型。
STD26NF10T4，带有VB制造的电路图。STD26NF 10T4采用TO252 D-PAK封装，是IC芯片的一部分。
STD270BLK是VCC制造的LED安装硬件。2“DIA X.27”黑色。是配件的一部分，并支持LED安装硬件。2“直径X.27”黑色。
