9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDZ203N，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDZ203N参考价格$30.18。onsemi FDZ203N封装/规格：MOSFET N-CH 20V 7.5A 9BGA。您可以下载FDZ203N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDZ193P是MOSFET P-CH 20V 3A 8-WLCSP，包括卷筒封装，它们设计为以0.001905盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装外壳功能，如WLCSP-6，技术设计为在Si中工作，以及1信道数量的信道，该器件也可以用作单双漏三源配置。此外，晶体管类型为1 P沟道，该器件提供1.5 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为10纳秒，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为3 A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds导通漏极-漏极电阻为66mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为28ns，典型接通延迟时间为13ns，正向跨导最小值为5.6S，沟道模式为增强。
FDZ197PZ是MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-WLCSP，包括8 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.001905盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如5.8 ns，典型的关闭延迟时间设计为311 ns，以及1 P沟道晶体管类型，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件的上升时间为5.9 ns，该器件具有68 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为1.9 W，封装为卷轴式，封装外壳为WLCSP-6，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏极电流为-3.8 A，正向跨导最小值为21 S，下降时间为280 ns，配置为单一，信道模式为增强。
FDZ202P是由FAIRCHILD制造的MOSFET P-CH 20V 5.5A BGA。FDZ202P采用12-WFBGA封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET P-CH 20V 5.5A BGA、P沟道20V 5.5A（Ta）2W（Ta）表面安装12-BGA（2x2.5）、Trans MOSFET P-CH20V 5.5A 12引脚BGA T/R。
