9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STD12NM50ND，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STD12NM50ND参考价格$26.45。STMicroelectronics STD12NM50ND封装/规格：MOSFET N-CH 500V 11A DPAK。您可以下载STD12NM50ND英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STD12NF06LT4是MOSFET N-CH 60V 12A DPAK，包括STripFET？II系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供1通道数量的通道，器件具有供应商器件包的D-Pak，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为30W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为350pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为12A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为100 mOhm@6A，10V，Vgs最大Id为2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为10nC@5V，Pd功耗为30 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为13 ns，上升时间为35ns，Vgs栅极-源极电压为16V，Id连续漏极电流为12A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-漏极电阻为100mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型导通延迟时间为10ns，正向跨导最小值为7S，信道模式是增强。
STD12NF06T4是MOSFET N-CH 60V 12A DPAK，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如7 ns，典型的关闭延迟时间设计为17 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为N沟道STripFET系列，该器件的上升时间为18 ns，漏极电阻Rds为100 mOhms，Pd功耗为30 W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为12 A，正向跨导最小值为5 S，下降时间为6 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
STD12NM50N是由ST制造的MOSFET N-CH 500V 11A DPAK。STD12NM00N有TO-252-3，DPAK（2引线+接线片），SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH500V 11A DPE、N沟道500V 11A（Tc）100W（Tc）表面安装D-Pak、Trans MOSFET N-CH2500V 11A Automotive 3引脚（2+Tab）DPAK T/R。
