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FDG315N

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Ta) 最大功耗: 750mW (Ta) 供应商设备包装: SC-88(SC-70-6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥7.25739
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥7.26
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 2A(Ta)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
  • 包装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 最大功耗 750mW (Ta)
  • 部件状态 过时的
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 4 nC @ 5 V
  • 供应商设备包装 SC-88(SC-70-6)
  • 导通电阻 Rds(ON) 120欧姆@2A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 220 pF@15 V

FDG315N 产品详情

这种N沟道逻辑电平MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的,该工艺经过特别定制,以最小化导通电阻,同时保持优异的开关性能。这些设备非常适合低电压和电池供电的应用,其中需要低在线功率损耗和快速切换。

特色

  • 2安培,30安培
  • RDS(开启)=0.12Ω@VGS=10 V
  • RDS(开启)=0.16Ω@VGS=4.5 V
  • 低栅极电荷(典型值为2.1nC)。
  • 用于极低RDS(ON)的高性能沟槽技术。
  • 紧凑型行业标准SC70-6表面安装封装。

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
FDG315N所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDG315N 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDG315N价格参考¥7.257386,你可以下载 FDG315N中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDG315N规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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