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PMZB290UNE2YL，带引脚细节，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于3-XFDFN包装盒，数据表说明中显示了用于Si的技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作DFN1006B-3供应商设备包。此外，FET类型为MOSFET N沟道、金属氧化物，该器件的最大功率为350mW，该器件具有1个晶体管型N沟道，漏极到源极电压Vdss为20V，输入电容Cis Vds为46pF@10V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为1.2A（Ta），最大Id Vgs为320mOhm@1.2A，4.5V，Vgs的最大Id为950mV@250μA，栅极电荷Qg Vgs为1.4nC@4.5V，晶体管极性为N沟道。
PMZB350UPE，315，带用户指南，包括950mV@250μA Vgs th Max Id，设计用于3-DFN1006B（0.6x1）供应商设备包，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于450 mOhm@300mA，4.5V，提供功率最大功能，如360mW，包装设计用于Digi-ReelR备用包装，以及3-XFDFN包装箱，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供127pF@10V输入电容Ciss Vds，该器件具有1.9nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为MOSFET P沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为20V，25°C电流连续漏极Id为1A（Ta）。
带有电路图的PMZB390UNEYL，包括1个通道数量的通道，它们设计用于卷筒包装，数据表注释中显示了用于Si的技术，该Si提供晶体管极性特性，如N通道，晶体管类型设计用于1个N通道。
PMZB320UPEYL带有EDA/CAD模型，包括Si技术，它们设计用于卷筒包装。
