9icnet为您提供由Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司设计和生产的AON2400，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。AON2400价格参考1.344美元。Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司AON2400封装/规格：MOSFET N-CH 8V 8A 6DFN。您可以下载AON2400英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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AON2290具有引脚细节，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于6-UDFN暴露焊盘封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商器件封装设计用于6-DFN-EP（2x2），以及MOSFET N沟道、金属氧化物FET类型，该器件还可以用作2.8W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为100V，该器件提供415pF@50V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性标准，25°C的电流连续漏极Id为4.5A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为72mOhm@4.5A，10V，Vgs最大Id为2.8V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为12nC@110V。
AON2260是MOSFET N CH 60V 6A DFN 2x2B，包括2.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于6-DFN-EP（2x2）供应商设备包，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于44 mOhm@6A，10V，提供功率最大功能，如2.8W，包装设计用于Digi-ReelR替代包装，以及6-UDFN暴露焊盘包装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供426pF@30V输入电容Cis-Vds，该器件具有12nC@10V栅极电荷Qg-Vgs，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为60V，电流连续漏极Id 25°C为6A（Ta）。
AOM770，电路图由AOM制造。AOM770在SOP封装中提供，是IC芯片的一部分。
