9icnet为您提供由Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司设计和生产的AON2401，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂、代理商等渠道购买。AON2401价格参考3.714美元。Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司AON2401封装/规格：MOSFET P-CH 8V 8A 6DFN。您可以下载AON2401英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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AON2400是MOSFET N CH 8V 8A DFN 2X2B，包括Digi-ReelR交替封装，它们设计用于6-UDFN暴露焊盘封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商器件封装设计用于6-DFN-EP（2x2），以及MOSFET N沟道，金属氧化物FET型，该器件也可以用作2.8W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为8V，该器件提供1645pF@4V输入电容Cis-Vds，该器件具有逻辑电平门，1.2V FET驱动，25°C的电流连续漏极Id为8A（Ta），最大Id Vgs的Rds为11mOhm@8A，2.5V，Vgs最大Id为460mV@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为16nC@4.5V。
带用户指南的AON2290，包括2.8V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于6-DFN-EP（2x2）供应商设备包，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于72 mOhm@4.5A，10V，提供功率最大功能，如2.8W，包装设计用于Digi-ReelR备用包装，以及6-UDFN裸露衬垫包装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供415pF@50V输入电容Ciss Vds，该器件具有12nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为100V，25°C的电流连续漏极Id为4.5A（Ta）。
AON2260是MOSFET N CH 60V 6A DFN 2x2B，包括6A（Ta）电流连续漏极Id 25°C，设计用于60V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了标准中使用的FET特性，该标准提供FET类型特性，如MOSFET N沟道、金属氧化物、栅极电荷Qg Vgs，除了426pF@30V输入电容Cis Vds，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该器件采用6-UDFN暴露焊盘封装盒，该器件具有Digi-ReelR交替封装，最大功率为2.8W，最大Id Vgs的Rds为44mOhm@6A，10V，供应商设备包为6-DFN-EP（2x2），Vgs th Max Id为2.5V@250μA。
