9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQPF18N20V2，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FQPF18N20V2参考价格为0.798美元。onsemi FQPF18N20V2封装/规格：MOSFET N-CH 200V 18A TO220F。您可以下载FQPF18N20V2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FQPF17N40T是MOSFET 400V N-Ch QFET，包括管封装，它们设计用于单位重量为0.080072盎司的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供56 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为105 ns，上升时间为185 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏电流为9.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为400V，Rds漏极漏极-漏极电阻为270mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为90ns，典型接通延迟时间为40ns，沟道模式为增强。
FQPF17P06是FARICHILD制造的MOSFET P-CH 60V 12A TO-220F。FQPF17P06在T0-220封装中提供，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET P-CH 60V 12A TO-220F、P沟道60V 12A（Tc）39W（Tc）通孔TO-220F。
FQPF17P10是由FAIRCHILD制造的MOSFET P-CH 100V 10.5A TO-220F。FQPF17P10采用TO-220-3全封装封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET P-CH 100V 10.5A TO-220F、P沟道100V 10.5V（Tc）41W（Tc）通孔TO-220F。
