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FQP17P10是MOSFET P-CH 100V 16.5A TO-220，包括管封装，它们设计为与FQP17P10_NL零件别名一起工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.063493盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计为在TO-220-3中工作，以及Si技术，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有10 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为100 ns，上升时间为200 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏电流为16.5 a，Vds漏极-源极击穿电压为-100V，Rds导通漏极-漏极电阻为190mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为45ns，典型接通延迟时间为17ns，正向跨导最小值为9.9S，沟道模式为增强。
FQP17P06是MOSFET P-CH 60V 17A TO-220，包括25 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在0.063493盎司的数据表注释中，提供典型的开启延迟时间功能，如13 ns，典型的关闭延迟时间设计为22 ns，以及1 P沟道晶体管类型，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件以100 ns上升时间提供，器件具有120 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为79 W，零件别名为FQP17P06_NL，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为17 A，正向跨导最小值为9.3 S，下降时间为60 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
FQP18N20是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 200V 18A TO-220。FQP18N20在TO-220-3封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 200V 18A TO-220。
