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AON1611

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 最大功耗: 1.8W(Ta) 供应商设备包装: 6-DFN (1.6x1.6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥11.35687
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥11.36
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规格参数

  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管类型 P-通道
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 1.5伏、4.5伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 4A (Ta)
  • 最大功耗 1.8W(Ta)
  • 制造厂商 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 900mV @ 250A
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 550 pF @ 10 V
  • 部件状态 过时的
  • 包装/外壳 6-PowerUFDFN
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 58毫欧姆 @ 4A, 4.5V
  • 供应商设备包装 6-DFN (1.6x1.6)

AON1611 产品详情

AON1611将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,以提供极低的RDS(ON)。该设备是负载开关和电池保护应用的理想选择。

特色


VDS-20伏
ID(VGS=-4.5V-4A时
RDS(开启)(VGS=-4.5V时)<58mΩ
RDS(开启)(VGS=-2.5V时)<76mΩ
RDS(开启)(VGS=-1.8V时)<98mΩ
RDS(开启)(VGS=-1.5V时)<120米Ω

AON1611所属分类:分立场效应晶体管 (FET),AON1611 由 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega) 设计生产,可通过久芯网进行购买。AON1611价格参考¥11.356867,你可以下载 AON1611中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询AON1611规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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