9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STD3NK60ZD，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STD3NK60ZD参考价格$1.88。STMicroelectronics STD3NK60ZD封装/规格：MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK。您可以下载STD3NK60ZD英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STD3NK50ZT4是MOSFET N-CH 500V 2.3A DPAK，包括SuperMESH？系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-252-3、DPak（2引线+标签）、SC-63以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件包的D-Pak，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为45W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为500V，输入电容Cis-Vds为280pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为2.3A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为3.3 Ohm@1.15A，10V，Vgs最大Id为4.5V@50μA，栅极电荷Qg Vgs为15nC@10V，Pd功耗为45W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为14 ns，上升时间为13ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为2.3A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds导通漏极-漏极电阻为2.8欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为24ns，典型导通延迟时间为8ns，Qg栅极电荷为11nC，并且前向跨导Min为1.5S，并且信道模式为增强。
STD3NK60Z带有ST制造的用户指南。STD3NK600Z提供TO-251封装，是FET的一部分-单个。
STD3NK60Z-1是由ST制造的MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK。STD3NK600Z-1可提供TO-251-3长引线、IPAK、TO-251AB封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH600V 2.4A IPAK、N沟道600V 2.4A（Tc）45W（Tc）通孔I-Pak、Trans-MOSFET N-CH 600V 2.4A 3引脚（3+Tab）IPAK管、MOSFET N-CH、600V-3.3ohms Zener SuperMESH 2.4A。
