9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQP3N80，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。FQP3N80参考价格$3.524。onsemi FQP3N80封装/规格：MOSFET N-CH 800V 3A TO220-3。您可以下载FQP3N80英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FQP3N50C_F080带有引脚细节，包括管封装，设计用于0.063493盎司单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可用于1 N通道配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供62 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为25 ns，上升时间为25纳秒，Vgs栅极-源极电压为+/-30 V，Id连续漏极电流为3 A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs栅极-源极阈值电压为2V，Rds导通漏极-漏极电阻为2.5欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为35ns，典型接通延迟时间为10ns，Qg栅极电荷为10nC，正向跨导最小值为1.5S，沟道模式为增强。
FQP3N60C是MOSFET N-CH 600V 3A TO-220，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在600 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.063493盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如12 ns，典型的关闭延迟时间设计为35 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为30 ns，器件的漏极电阻为3.4欧姆，Pd功耗为75 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏极电流为3A，正向跨导最小值为3.5S，下降时间为35ns，配置为单一，信道模式为增强。
FQP3N60是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 600V 3A TO-220。FQP3N60在TO-220-3封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 600V 3A TO-220、N沟道600V 3A（Tc）75W（Tc）通孔TO-220-30、跨MOSFET N-CH600V 3A 3引脚（3+Tab）TO-220AB导轨。
