9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDT434P，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDT434P参考价格为0.31000美元。onsemi FDT434P封装/规格：MOSFET P-CH 20V 6A SOT223-4。您可以下载FDT434P英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDT3612是MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT-223，包括卷筒封装，它们设计用于FDT3612_NL零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.008826盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于SOT-223-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单双漏极，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有3 W的Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为4.5 ns，上升时间为2 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为3.7A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-漏极电阻为88mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为23ns，典型接通延迟时间为8.5ns，正向跨导最小值为11S，沟道模式为增强。
FDT3N40TF是MOSFET N-CH 400V 2A SOT-223，包括5V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在30V Vgs栅极源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于400V，提供单位重量功能，如0.006632盎司，典型开启延迟时间设计为10纳秒，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件采用Si技术，器件的上升时间为30纳秒，漏极-源极电阻Rds为2.8欧姆，Qg栅极电荷为4.5 nC，Pd功耗为2 W，封装为卷轴式，封装盒为SOT-223-3，沟道数为1沟道，安装方式为SMD/SMT，并且Id连续漏极电流为2A，并且正向跨导Min为2S，并且下降时间为25ns。
FDT3N40，带有FAIRCHILD制造的电路图。FDT3N40在SOT-223封装中提供，是FET的一部分-单个。
