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AON6994是MOSFET 2N-CH 30V 19A/26A，包括Digi-ReelR替代封装封装，它们设计为使用8功率WDFN封装盒工作，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备封装设计为在8-DFN-EP（5x6）以及2 N通道（双）非对称FET类型中工作，该器件还可以用作3.1W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为30V，该器件提供820pF@15V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性的逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为19A、26A，最大Id Vgs为5.2mOhm@20A、10V，Vgs th最大Id为2.2V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为13nC@10V。
带用户指南的AON6998，包括2.2V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于8-DFN-EP（5x6）供应商设备包，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于5.2 mOhm@20A，10V，提供功率最大功能，如3.1W，包装设计用于Digi-ReelR备用包装，以及8-PowerWDFN包装箱，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供820pF@15V输入电容Cis-Vds，该器件具有13nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N沟道（双）不对称，FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为19A，26A。
带电路图的AON6996，包括50A、60A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在30V漏极到源极电压Vdss下工作，FET特性如数据表注释所示，用于标准，提供FET类型特性，如2 N通道（双）非对称，栅极电荷Qg Vgs设计为在13nC@10V下工作，以及820pF@15V输入电容Cis-Vds，该设备也可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该设备采用8-PowerSMD，扁平引线封装盒，该设备具有封装带和卷盘（TR），最大功率为3.1W，Rds On Max Id Vgs为5.2mOhm@20A，10V，供应商设备封装为8-DFN（5x6），Vgs th Max Id为2.2V@250μa。
