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AON7508是MOSFET N-CH 30V 26A 8DFN，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计为与8-PowerSMD、扁平引线封装盒一起工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商器件封装设计为在8-DFN（3x3）中工作，金属氧化物FET型，该器件也可以用作3.1W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为30V，该器件提供1835pF@15V输入电容Ciss Vds，该器件具有FET特性标准，25°C的电流连续漏极Id为26A（Ta），32A（Tc），最大Id Vgs的Rds为3mOhm@20A，10V，Vgs th最大Id为2.2V@250μa，栅极电荷Qg Vgs为40nC@10V。
AON7436是由AOS制造的MOSFET N-CH 20V 9A 8DFN。AON7436有8-PowerSMD扁平引线封装，是FET的一部分-单，并支持MOSFET N-CH 20V 9A 8DFN、N沟道20V 9A（Ta）、23A（Tc）3.1W（Ta）和16.7W（Tc）表面安装8-DFN（3x3）。
AON7506是由AOS制造的MOSFET N-CH 30V 12A DFN3X3EP。AON7506以QFN封装形式提供，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 30V 12A DFN3X3EP、N沟道30V 12A（Ta）、12A（Tc）3.1W（Ta），20.5W（Tc）表面安装8-DFN（3x3）、Trans-MOSFET N-CH 30 V 12A 8-Pin DFN-A EP T/R。
