9icnet为您提供由Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司设计和生产的AON7536，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。AON7536参考价格$9.868。Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司AON7536封装/规格：MOSFET N-CH 30V 24A/68A 8DFN。您可以下载AON7536英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，如AON7536价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
AON7522E是MOSFET N-CH 30V 21A 8DFN，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计为与8-PowerSMD、扁平引线封装盒一起工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商器件封装设计为在8-DFN（3x3）中工作，金属氧化物FET型，该器件也可以用作3.1W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为30V，该器件提供1540pF@15V输入电容Ciss Vds，该器件具有FET特性标准，25°C的电流连续漏极Id为21A（Ta），34A（Tc），最大Id Vgs的Rds为4 mOhm@20A，10V，Vgs th最大Id为2.2V@250μa，栅极电荷Qg Vgs为45nC@10V。
AON7528是MOSFET N-CH 30V 45A 8DFN，包括2.2V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于与8-DFN（3x3）供应商设备包一起工作，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于2 mOhm@20A，10V，提供功率最大功能，如6.2W，封装设计用于Digi-ReelR替代封装，以及8-PowerSMD，扁平引线封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2895pF@15V输入电容Cis-Vds，该器件具有60nC@10V栅极电荷Qg-Vgs，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为30V，25°C的电流连续漏极Id为45A（Ta），50A（Tc）。
AON7534是MOSFET N-CH 30V 20A 8DFN，包括20A（Ta）、30A（Tc）电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在30V漏极到源极电压Vdss下工作。数据表中显示了标准中使用的FET特性，该标准提供了FET类型的特性，如MOSFET N沟道、金属氧化物、栅极电荷Qg Vgs，除了1037pF@15V输入电容Ciss Vds之外，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该器件采用8-PowerSMD扁平引线封装盒，该器件具有Digi-ReelR交替封装，最大功率为3W，最大Id Vgs的Rds为5 mOhm@20A，10V，供应商设备包为8-DFN（3x3），Vgs th Max Id为2.2V@250μA。
AON7524，带有AOS制造的EDA/CAD模型。AON7524采用8-DFN封装，是集成电路芯片的一部分，N沟道30V 25A（Ta）、28A（Tc）3.1W（Ta），32W（Tc）表面安装8-DFN（3x3），Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8引脚DFN-A EP。
