9icnet为您提供由Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司设计和生产的AOD9T40P，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。AOD9T40P参考价格$3.142。Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司AOD9T40P封装/规格：MOSFET N-CH 400V 6.6A TO252。您可以下载AOD9T40P英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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AOD7S65是MOSFET N-CH 650V 7A TO252，包括aMOS？系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，包装箱如数据表注释所示，用于to-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及to-252、（D-Pak）供应商设备包，该设备也可以用作MOSFET N沟道，金属氧化物FET类型。此外，功率最大值为89W，该器件提供650V漏极到源极电压Vdss，该器件具有434pF@100V的输入电容Cis-Vds，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为7A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为650mOhm@3.5A，10V，Vgs最大Id为4V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为9.2nC@10V。
AOD609是MOSFET N/P-CH 40V 12A TO252-4，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于与to-252-4L供应商设备包一起工作，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于30 mOhm@12A，10V，提供2W等功率最大功能，封装设计用于Digi-ReelR交替封装，以及to-252-5，DPak（4引线+标签），TO-252AD包装箱，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供650pF@20V输入电容Cis Vds，器件具有10.8nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为N和P沟道，公共漏极，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为40V，电流连续漏极Id 25°C为12A。
AOD6N50是AO制造的MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252。AOD6N5可提供TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH500V 5.3A TO 252、N沟道500V 5.3A（Tc）104W（Tc）表面安装TO-252、（D-Pak）、Trans-MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin（2+Tab）DPak。
AOD81采用松下制造的EDA/CAD模型。AOD81在模块包中提供，是模块的一部分。
