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NTD4969NT4G

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.4A (Ta), 41A (Tc) 最大功耗: 1.38W(Ta),26.3W(Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥10.25595
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥10.26
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规格参数

  • 包装数量 -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
  • 供应商设备包装 DPAK
  • 导通电阻 Rds(ON) 9欧姆@30A,10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 9 nC @ 4.5 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 9.4A (Ta), 41A (Tc)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 837 pF @ 15 V
  • 最大功耗 1.38W(Ta),26.3W(Tc)

NTD4969NT4G 产品详情

功率MOSFET,30 V,41 A,单N沟道,DPAK/IPAK

特色

  • 优化门电荷
  • 提高信号质量并将开关损耗降至最低
  • 低电容
  • 最小化驾驶员损失
  • 低RDS(打开)
  • 最小化传导损耗
  • 符合RoHS

应用

  • 高端同步DC-DC转换器
  • 台式电脑和游戏控制台


(图片:引出线)

NTD4969NT4G所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NTD4969NT4G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NTD4969NT4G价格参考¥10.255946,你可以下载 NTD4969NT4G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NTD4969NT4G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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