9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN4027SSS-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN4027SSS-13参考价格1.896美元。Diodes Incorporated DMN4027SSS-13封装/规格：MOSFET N-CH 40V 6A 8SO。您可以下载DMN4027SSS-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN4026SSDQ-13带有引脚细节，包括DMN40系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，数据表注释中显示了用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）的封装盒，该封装盒提供Si等技术特性，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），以及表面安装安装类型，该器件也可以用作2信道数的信道。此外，供应商器件封装为8-SO，该器件提供2 N信道（双）FET型，器件的最大功率为1.3W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为40V，输入电容Cis-Vds为1060pF@220V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为7A，Rds On Max Id Vgs为24mOhm@6A，10V，Vgs th Max Id为3V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为19.1nC@110V，晶体管极性为N沟道。
DMN4027SSD-13是MOSFET 2N-CH 40V 5.4A 8SO，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与8-SO供应商设备包一起工作，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于27 mOhm@7A，10V，提供功率最大功能，如1.8W，封装设计为在Digi-ReelR替代封装中工作，以及8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供604pF@220V输入电容Cis-Vds，器件具有12.9nC@10V栅极电荷Qg-Vgs，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为40V，电流连续漏极Id 25°C为5.4A。
DMN4027SSS，电路图由DIODES制造。DMN4027SSS在SOP8包中提供，是FET的一部分-单。
