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IPW50R140CP是MOSFET N-CH 550V 23A TO-247，包括CoolMOS CP系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPW50R1 40CPFKSA1 IPW50R2 40CPXK SP000234989，其提供单位重量功能，如1.340411盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-247-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为192 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为14 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为23A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds导通漏极-漏极电阻为140mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为80ns，典型接通延迟时间为35ns，沟道模式为增强。
IPW50R190CE是MOSFET N-Ch 500V 63A TO247-3，包括500 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为以1.340411盎司单位重量运行，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N沟道，提供晶体管极性特性，如N沟道。技术设计用于Si，以及XPW50R190系列，该设备也可以用作IPW50R190CEFKSA1 SP000850798部件别名。此外，包装为管式，该设备采用TO-247-3包装盒，该设备具有1个通道数，安装方式为通孔。
IPW40N65HFKSA1带有电路图，包括管包装，它们设计为与IPW40N55H SP001092242零件别名一起工作。数据表注释中显示了用于Si的技术。
