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IPW65R190E6是MOSFET N-Ch 700V 20.2A TO247-3 CoolMOS E6，包括CoolMOS E5系列，它们设计用于管式封装，数据表注释中显示了用于IPW65R190E6FKSA1 IPW65R290E6XK SP000863906的零件别名，该产品提供单位重量功能，如1.340411盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-247-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为151 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为12 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为20.2A，Vds漏极-源极击穿电压为700V，Rds漏极源极导通电阻为190mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为133nS，Qg栅极电荷为73nC。
IPW65R280C6是MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在700 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于1.340411盎司，提供典型的关断延迟时间功能，如105纳秒，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，以及N沟道晶体管极性，该设备也可以用作CoolMOS商标。此外，该技术为Si，该器件采用CoolMOS C6系列，该器件具有11 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为280 mOhms，Qg栅极电荷为45 nC，Pd功耗为104 W，部件别名为IPW65R280C6FKSA1 IPW65R180C6XK SP000785060，封装为管，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为13.8 A，下降时间为12 ns，配置为单一。
IPW65R190CFDA是MOSFET N-Ch 650V 17.5A TO247-3，包括1个通道数量的通道，它们设计用于管封装，数据表注释中显示了用于IPW65R190CFDAFKSA1 IPW65R1 90CFDAXK SP000928268的零件别名，该产品提供XPW65R190等系列功能，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。
IPW65R190CFD=65F6190，带有FEELING制造的EDA/CAD模型。IPW65R190CFD=65F6190采用TO-247封装，是IC芯片的一部分。
