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IPW65R280C6是MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247，包括CoolMOS C6系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPW65R180C6FKSA1 IPW65R380C6XK SP000785060，其提供单位重量功能，如1.340411盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-247-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为104 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为11 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为13.8A，Vds漏极-源极击穿电压为700V，Rds漏极源极导通电阻为280mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为105nS，Qg栅极电荷为45nC。
IPW65R280E6是MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在700 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于1.340411盎司，提供典型的关断延迟时间特性，如105 nS，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，以及N沟道晶体管极性，该设备也可以用作CoolMOS商标。此外，该技术为Si，该器件采用CoolMOS E6系列，该器件具有11 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为280 mOhms，Qg栅极电荷为45 nC，Pd功耗为104 W，部件别名为IPW65R280E6FKSA1 IPW65R180E6XK SP000795272，封装为管，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为13.8 A，下降时间为12 ns，配置为单一。
IPW65R310CFD是MOSFET N-Ch 650V 11.4A TO247-3 CoolMOS CFD2，包括单一配置，它们设计为在7 ns的下降时间下工作，Id连续漏极电流如数据表注释所示，用于11.4 a，提供安装类型特征，如通孔，通道数设计为在1个通道中工作，以及to-247-3封装外壳，该装置也可以用作管包装。此外，部件别名为IPW65R310CFDFKSA1 IPW65R410CFDXK SP000890688，该器件提供104.2 W Pd功耗，该器件具有41 nC的Qg栅极电荷，Rds漏极-源极电阻为310 mOhms，上升时间为7.5 ns，系列为CoolMOS CFD2，技术为Si，商品名为CoolOS，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，单位重量为1.340411oz，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Vgs栅源极电压为30V，Vgsth栅源极阈值电压为4V。
IPW65R310CFDAFKSA1是MOSFET N-Ch 700V 11.4A TO247-3，包括管封装，它们设计为与to-247-3封装盒一起工作，数据表注释中显示了用于SP000879444的零件别名，该SP00087944提供Si等技术特性，晶体管极性设计为在N沟道中工作，以及IPW65R110系列，该器件也可以用作CoolMOS商标。此外，Vds漏极-源极击穿电压为700 V，该器件的漏极-漏极电阻为310 mOhms Rds，该器件具有11.4 a的Id连续漏极电流，单位重量为1.340411 oz，晶体管类型为1 N沟道，沟道数为1沟道。
