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IPW65R310CFD是MOSFET N-Ch 650V 11.4A TO247-3 CoolMOS CFD2，包括CoolMOS CFR2系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPW65R410CFDFKSA1 IPW65R510CFDXK SP000890688，其提供单位重量功能，如1.340411盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-247-3包装箱。此外，该技术是Si，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N通道，Pd功耗为104.2W，下降时间为7ns，上升时间为7.5ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为11.4A，Vds漏极-源极击穿电压为650V，第Vgs栅极-源极阈值电压为4V，漏极-源极电阻Rds为310mOhms，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为41nC。
IPW65R420CFD是MOSFET N-Ch 650V 8.7A TO247-3 CoolMOS CFD2，包括4 V Vgs栅源阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于650 V，提供单位重量功能，如1.340411盎司，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，该器件还可以用作CoolMOS商标。此外，该技术为Si，该器件采用CoolMOS CFD2系列，该器件具有7 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为420 mOhms，Qg栅极电荷为32 nC，Pd功耗为83.3 W，部件别名为IPW65R420CFDFKSA1 IPW65R220CFDXK SP000890686，封装为管，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装类型为通孔，Id连续漏电流为8.7A，下降时间为8ns，配置为单。
IPW65R660CFD是MOSFET N-Ch 650V 6A TO247-3 CoolMOS CFD2，包括单一配置，它们设计为在10 ns的下降时间下工作，Id连续漏电流如数据表注释所示，用于6 a，提供安装类型特征，如通孔，通道数设计为在1个通道中工作，以及to-247-3封装外壳，该装置也可以用作管包装。此外，部件别名为IPW65R660CFDFKSA1 IPW65R760CFDXK SP000861700，该器件提供63 W Pd功耗，该器件具有22 nC的Qg栅极电荷，漏极-源极电阻Rds为660 mOhms，上升时间为8 ns，系列为CoolMOS CFD2，技术为Si，商品名为CoolOS，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，单位重量为1.340411oz，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Vgs栅源极电压为30V，Vgsth栅源极阈值电压为4V。
IPW65R310CFDAFKSA1是MOSFET N-Ch 700V 11.4A TO247-3，包括管封装，它们设计为与to-247-3封装盒一起工作，数据表注释中显示了用于SP000879444的零件别名，该SP00087944提供Si等技术特性，晶体管极性设计为在N沟道中工作，以及IPW65R110系列，该器件也可以用作CoolMOS商标。此外，Vds漏极-源极击穿电压为700 V，该器件的漏极-漏极电阻为310 mOhms Rds，该器件具有11.4 a的Id连续漏极电流，单位重量为1.340411 oz，晶体管类型为1 N沟道，沟道数为1沟道。
