9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN63D1L-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN63D1L-7参考价格为7.462美元。Diodes Incorporated DMN63D1L-7封装/规格：MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23。您可以下载DMN63D1L-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN63D1LDW-13，带引脚细节，包括磁带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3包装箱，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于SOT-23，以及2 N通道（双）FET类型，该器件还可以用作310mW最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为60V，该器件提供30pF@25V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性标准，25°C的电流连续漏极Id为250mA，最大Id Vgs的Rds为2 Ohm@500mA，10V，Vgs th最大Id为2.5V@1mA，栅极电荷Qg-Vgs为0.3nC@4.5V。
DMN63D0LT-7是MOSFET N-CH 100V SOT523，包括100 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为以0.000071 oz单位重量运行。数据表说明中显示了用于Si的技术，该Si提供了DMN63等系列功能，封装设计为在替代封装中工作，以及SOT-523-3封装盒，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。
DMN63D1L-13带电路图，包括卷筒包装，设计用于DMN63系列，数据表注释中显示了用于Si的技术。
