9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STD20P3H6AG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STD20P3H6AG参考价格为1.874美元。STMicroelectronics STD20P3H6AG封装/规格：MOSFET P-CH 30V 20A DPAK。您可以下载STD20P3H6AG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STD20NF20是MOSFET N-CH 200V 18A DPAK，包括STripFET？系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-252-3、DPak（2引线+标签）、SC-63以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供1通道数量的通道，器件具有供应商器件包的D-Pak，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为110W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为200V，输入电容Cis-Vds为940pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为18A（Tc），最大Id Vgs的Rds为125 mOhm@10A，10V，Vgs的最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为39nC@10V，Pd功耗为90 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为30ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为18A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds导通漏极-漏极电阻为125mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为40ns，典型导通延迟时间为15ns，正向跨导最小值为13S，信道模式是增强。
STD20P3H6AG和用户指南，包括Si技术。
STD20NF20T4，带有ST制造的电路图。STD20NF-20T4采用TO-252封装，是IC芯片的一部分。
STD20P07LT4G，带有ON制造的EDA/CAD型号。STD20CP07LT4G采用TO-252封装，是IC芯片的一部分。
