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AON7242是MOSFET N-CH 40V 30A 8DFN，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计为与8功率WDFN封装盒一起工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商器件封装设计为在8-DFN-EP（3.3x3.3）中工作，金属氧化物FET型，该器件也可以用作6.2W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为40V，该器件提供2365pF@20V输入电容Ciss Vds，该器件具有FET特性标准，25°C的电流连续漏极Id为30A（Ta），50A（Tc），最大Id Vgs的Rds为3.9mOhm@20A，10V，Vgs最大Id为2.3V@250μa，栅极电荷Qg Vgs为32nC@10V。
AON7244是MOSFET N-CH 60V 20A 8DFN，包括2.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于8-DFN-EP（3.3x3.3）供应商设备包，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于8.5 mOhm@20A，10V，提供6.2W等功率最大功能，封装设计用于Digi-ReelR备用封装，以及8-PowerWDFN封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2435pF@30V输入电容Cis-Vds，该器件具有32nC@10V栅极电荷Qg-Vgs，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为60V，25°C电流连续漏极Id为20A（Ta），50A（Tc）。
AON7220是AOS制造的MOSFET N-CH 25V 37A DFN3.3X3.3。AON7220采用8功率WDFN封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 25V 37A DFN3.3X3.3、N沟道25V 37B（Ta）、50A（Tc）6.2W（Ta）和83W（Tc）表面安装8-DFN-EP（3.3X3.3）、Trans MOSFET N-CH25V 50A 8引脚DFN EP T/R。
