9icnet为您提供由onsemi设计和生产的3LP01S-TL-E，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。3LP01S-TL-E参考价格$0.07000。onsemi 3LP01S-TL-E封装/规格：MOSFET P-CH 30V 100MA SMCP。您可以下载3LP01S-TL-E英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如3LP01S-TL-E价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
3LP01SS-TL-H是MOSFET高频放大器，包括3LP01SS系列，它们设计用于卷盘封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供SMCP-3等封装盒功能，技术设计用于Si，以及1信道数的信道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 P沟道，器件提供150 mW Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为130 ns，上升时间为55 ns，Vgs栅极-源极电压为10 V，Id连续漏极电流为-100 mA，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Rds导通漏极-漏极电阻为10.4欧姆，晶体管极性为P沟道，典型的关断延迟时间为120纳秒，典型的接通延迟时间为24纳秒，Qg栅极电荷为1.43纳秒，正向跨导最小值为80毫秒。
3LP01SS-TL-E是MOSFET P-CH 30V 0.1A SMCP，包括-30 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为与1 P沟道晶体管类型一起工作，晶体管极性如数据表注释所示，用于P沟道，提供Si等技术特性，系列设计用于3LP01SS，以及10.4欧姆Rds漏极源极电阻，该装置也可以用作卷筒包装。此外，封装外壳为SMCP-3，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有安装型SMD/SMT，Id连续漏电流为100 mA。
3LP01S-TL，带有SANYO制造的电路图。3LP01S-TL在SOT-423封装中提供，是FET的一部分-单个。
