9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NVMFS5830NLWFT1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NVMFS5830NLWFT1G价格参考1.95626美元。onsemi NVMFS5830NLWFT1G封装/规格：MOSFET N-CH 40V 29A 5DFN。您可以下载NVMFS5830NLWFT1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NVMFS5826NLWFT1G带有引脚细节，包括NVMFS5026NL系列，它们设计为与卷筒封装一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如DFN-5，技术设计为在Si中工作，以及1通道数的通道，该器件也可以用作1 N通道晶体管类型。此外，Id连续漏极电流为26 A，该器件的漏极-源极击穿电压为60 V Vds，漏极-漏极电阻为24 mOhms，晶体管极性为N沟道。
NVMFS5826NLWFT3G带有用户指南，包括60 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为与1 N沟道晶体管类型一起工作，晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道，提供Si等技术特性，系列设计用于NVMFS5026NL，以及24 mOhms Rds漏极源极电阻，该装置也可以用作卷筒包装。此外，封装外壳为DFN-5，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有安装型SMD/SMT，Id连续漏电流为26A。
NVMFS5826NLT3G是MOSFET NFET SO8FL 60V 26A 24MO，包括26 A Id连续漏极电流，它们设计用于SMD/SMT安装方式，数据表中显示了用于DFN-5的封装情况，该DFN-5提供了卷盘、Rds漏极电阻等封装功能，设计工作在24 mOhms，该器件也可以用作Si技术。此外，晶体管极性为N沟道，器件提供60 V Vds漏极-源极击穿电压。
