- 适用于开关(电机驱动等)和负载开关应用的MOSFET
- 低导通电阻、高速切换和高鲁棒性
UPA2820T1S-E2-AT
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A(Tc) 最大功耗: 1.5W(Ta)、16W(Tc) 供应商设备包装: 8-HWSON (3.3x3.3) 工作温度: 150摄氏度(TJ)
- 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
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- 库存: 9000
- 单价: ¥13.18208
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规格参数
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
- 包装/外壳 8-PowerWDFN
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 50 nC @ 10 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 22A(Tc)
- 工作温度 150摄氏度(TJ)
- 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
- 部件状态 过时的
- 供应商设备包装 8-HWSON (3.3x3.3)
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2330 pF@10 V
- 导通电阻 Rds(ON) 5.3毫欧姆 @ 22A, 10V
- 最大功耗 1.5W(Ta)、16W(Tc)
UPA2820T1S-E2-AT 产品详情
UPA2820T1S-E2-AT所属分类:分立场效应晶体管 (FET),UPA2820T1S-E2-AT 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。UPA2820T1S-E2-AT价格参考¥13.182078,你可以下载 UPA2820T1S-E2-AT中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询UPA2820T1S-E2-AT规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器...