9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NVMFS5832NLWFT3G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NVMFS5832NLWFT3G参考价格为10.388美元。onsemi NVMFS5832NLWFT3G封装/规格：MOSFET N-CH 40V 21A 5DFN。您可以下载NVMFS5832NLWFT3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NVMFS5832NLWFT1G是MOSFET Pwr MOSFET 40V 120A 4.2mOhm SGL N-CH，包括NVMFS583NL系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如DFN-5，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，Id连续漏极电流为120 A，该器件的漏极-源极击穿电压为40 V Vds，漏极-漏极电阻为4.2 mOhms，晶体管极性为N沟道。
NVMFS5832NLT1G是MOSFET NFET SO8FL 40V 120A 4.2，包括40V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为与N沟道晶体管极性一起工作。数据表说明中显示了用于Si的技术，该Si提供了NVMFS583.2NL、Rds漏极源极电阻设计为在4.2mOhms下工作，该装置也可以用作DFN-5封装盒。此外，安装类型为SMD/SMT，该器件提供120 A Id连续漏电流。
NVMFS5832NLT3G是MOSFET NFET SO8FL 40V 120A 4.2，包括120 A Id的连续漏极电流，它们设计为与SMD/SMT安装样式一起工作，数据表注释中显示了DFN-5中使用的封装情况，该DFN-5提供了卷盘、Rds漏极电阻等封装功能，设计为工作在4.2 mOhms，该器件也可以用作Si技术。此外，晶体管极性为N沟道，器件提供40 V Vds漏极-源极击穿电压。
