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AON6908A是MOSFET 2N-CH 30V 11.5A/17A 8DFN，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计为与8-PowerVDFN封装盒一起工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，该器件还可以用作1.9W、2.1W的最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为30V，该器件提供1110pF@15V输入电容Ciss Vds，该器件具有FET特性的逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为11.5A、17A，最大Id Vgs的Rds为8.9mOhm@11.5A、10V，Vgs最大Id为2.4V@250μa，栅极电荷Qg Vgs为15nC@10V。
AON6906A是MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/10A 8DFN，包括2.4V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于8-DFN（5x6）供应商设备包，Rds On Max Id Vgs如数据表注释所示，用于14.4 mOhm@9.1A，10V，提供1.9W，2W等功率最大功能，封装设计用于磁带和卷轴（TR）以及8-PowerVDFN封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供670pF@15V输入电容Cis-Vds，该器件具有9nC@10V栅极电荷Qg-Vgs，FET类型为2 N沟道（半桥），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，25°C电流连续漏极Id为9.1A，10A。
AON6884是MOSFET 2N-CH 40V 9A DFN5X6，包括9A电流连续漏极Id 25°C，设计用于40V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计用于33nC@10V，除了1950pF@20V输入电容Cis Vds，该设备还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该设备采用8-PowerSMD，扁平引线封装盒，该设备具有封装带和卷轴（TR），最大功率为1.6W，最大Id Vgs的Rds为11.3 mOhm@10A，10V，供应商设备包为8-DFN（5x6），Vgs th Max Id为2.7V@250μA。
