9icnet为您提供由Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司设计和生产的AON7200L，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。AON7200L参考价格$8.122。Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司AON7200L封装/规格：MOSFET N-CH 30V 15.8A/40A 8DFN。您可以下载AON7200L英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，例如AON7200L价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
AON6994是MOSFET 2N-CH 30V 19A/26A，包括Digi-ReelR替代封装封装，它们设计为使用8功率WDFN封装盒工作，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备封装设计为在8-DFN-EP（5x6）以及2 N通道（双）非对称FET类型中工作，该器件还可以用作3.1W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为30V，该器件提供820pF@15V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性的逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为19A、26A，最大Id Vgs为5.2mOhm@20A、10V，Vgs th最大Id为2.2V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为13nC@10V。
带用户指南的AON6998，包括2.2V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于8-DFN-EP（5x6）供应商设备包，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于5.2 mOhm@20A，10V，提供功率最大功能，如3.1W，包装设计用于Digi-ReelR备用包装，以及8-PowerWDFN包装箱，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供820pF@15V输入电容Cis-Vds，该器件具有13nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N沟道（双）不对称，FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为19A，26A。
带电路图的AON6996，包括50A、60A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在30V漏极到源极电压Vdss下工作，FET特性如数据表注释所示，用于标准，提供FET类型特性，如2 N通道（双）非对称，栅极电荷Qg Vgs设计为在13nC@10V下工作，以及820pF@15V输入电容Cis-Vds，该设备也可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该设备采用8-PowerSMD，扁平引线封装盒，该设备具有封装带和卷盘（TR），最大功率为3.1W，Rds On Max Id Vgs为5.2mOhm@20A，10V，供应商设备封装为8-DFN（5x6），Vgs th Max Id为2.2V@250μa。
AON7200是AO制造的MOSFET N-CH 30V 15.8A 8DFN。AON7200有8-PowerSMD、扁平引线封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH30V 15.8 A 8DFN、N沟道30V 15.8A（Ta）、40A（Tc）3.1W（Ta），62W（Tc）表面安装8-DFN（3x3）、Trans-MOSFET N-CH 30 V 40A 8-Pin DFN-A EP。
