9icnet为您提供由Nexperia USA Inc.设计和生产的PMZ290UNEYL，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。PMZ290UNEYL参考价格为0.02000美元。Nexperia USA Inc.PMZ290UNEYL封装/规格：MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3。您可以下载PMZ290UNEYL英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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PMZ290UNEYL带有引脚细节，包括卷轴封装，设计用于SMD/SMT安装方式，封装盒如数据表注释所示，用于DFN1006-3，提供Si等技术特性，信道数设计用于1信道，以及1 N信道晶体管类型，该设备也可用于2700 mW Pd功耗。此外，下降时间为31ns，器件的上升时间为4ns，器件具有8V的Vgs栅极-源极电压，Id连续漏极电流为1A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Vgs第栅-源极阈值电压为0.95 V，漏极-漏极电阻为380 mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为172ns，典型接通延迟时间为12ns，Qg栅极电荷为0.68nC，正向跨导Min为1.6S，信道模式为增强。
PMZ290UNE2YL，带有用户指南，包括0.95 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在8 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于20 V，提供典型的开启延迟时间功能，如6 ns，典型的关闭延迟时间设计为11 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件以10ns上升时间提供，器件具有210mOhms的Rds漏极-源极电阻，Qg栅极电荷为1.4nV，Pd功耗为715mW，封装为卷轴，封装外壳为DFN1006-3，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，Id连续漏极电流为1.2A，下降时间为4ns，信道模式为增强。
PMZ250UN，带有NXP制造的电路图。PMZ250UN以SOT883封装形式提供，是FET的一部分-单个。
PMZ250UN，315，NXP制造的EDA/CAD模型。PMZ250UN，315可在SOT883封装中获得，是IC芯片的一部分，N沟道20V 2.28A（Tc）2.5W（Tc）表面安装DFN1006-3，Trans MOSFET N-CH 20V 2.28A 3引脚DFN T/R。
