9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的BSF050N03LQ3GXUMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BSF050N03LQ3GXUMA1参考价格$2.58。Infineon Technologies BSF050N03LQ3GXUMA1封装/规格：MOSFET N-CH 30V 15A/60A 2WDSON。您可以下载BSF050N03LQ3GXUMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BSF050N03LQ3 G是MOSFET N-Ch 30V 60A CanPAK-2 SQ，包括BSF050NO3系列，它们设计用于卷盘封装，数据表注释中显示了用于BSF050NO 3LQ3GXUMA1 SP000604522的零件别名，该产品提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于OptiMOS，以及WDSON-2封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件采用单双漏极配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为28W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，下降时间为3.2ns，上升时间为3.4ns，Vgs栅源电压为20V，Id连续漏极电流为60A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds漏极源极导通电阻为5mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为18nS，Qg栅极电荷为25nC。
BSF035NE2LQXUMA1是MOSFET N-Ch 25V 69A CanPAK-2 SQ OptiMOS，包括25 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为与1 N沟道晶体管类型一起工作，晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道，提供OptiMOS等商品名功能，技术设计用于Si以及OptiMOS系列，该器件也可以用作3.5毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，部件别名为BSF035NE2LQ SP001034234，该设备采用卷筒包装，该设备具有WDSON-2封装盒，信道数为1信道，Id连续漏电流为69 a。
BSF045N03LQ3G，带有INFINEON制造的电路图。BSF045N03LQ3G采用MG-WDSON-2封装，是IC芯片的一部分。
BSF050N03LQ3G，带有INF/EDA/CAD型号。BSF050NO3LQ3G采用MG-WDSON-2封装，是FET的一部分-单个。
