9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTD4979NT4G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NTD4979NT4G参考价格0.19000美元。onsemi NTD4979NT4G封装/规格：MOSFET N-CH 30V 9.4A/41A DPAK。您可以下载NTD4979NT4G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NTD4969NT4G是MOSFET N-CH 30V 41A DPAK，包括NTD44969N系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有26.3 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为12.7 a，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，第Vgs栅极-源极阈值电压为1.8V，漏极-源极电阻Rds为19mOhms，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为9nC，正向跨导Min为36S。
NTD4970N-35G是MOSFET N-CH 30V 38A IPAK，包括2.5 V Vgs的栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该设备也可以用作NTD4970N系列。此外，上升时间为27.6ns，器件的漏极-源极电阻为21mOhms Rds，器件的Qg栅极电荷为8.2nC，Pd功耗为2.55W，封装为管，封装外壳为IPAK-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，Id连续漏极电流为11.6A，正向跨导Min为34S，下降时间为5.7ns，配置为Single。
NTD4970NT4G是MOSFET N-CH 30V 38A DPAK，包括单一配置，它们设计为在5.7 ns下降时间下工作，数据表注释中显示了用于34 S的正向跨导最小值，提供Id连续漏极电流功能，如11.6 a，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，以及1信道数信道，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，包装为卷轴式，器件提供2.55 W Pd功耗，器件具有8.2 nC Qg栅极电荷，Rds漏极-源极电阻为21 mOhms，上升时间为27.6 ns，系列为NTD4970N，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道、单位重量为0.13932 oz，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.5V。
NTD4979N-35G是MOSFET NFET DPAK 30V 41A 9MOHM，包括管封装，它们设计为与to-252-3封装盒一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供了单级等配置功能，技术设计为在Si中工作，以及NTD4979 N系列，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，Rds漏极-源极电阻为9 mOhms，器件提供9 A Id连续漏极电流，器件具有30 V Vds漏极源极击穿电压，Pd功耗为2.56 W，晶体管类型为1 N沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.13932盎司。
