9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIHB22N60S-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIHB22N60S-E3参考价格为0.968美元。Vishay Siliconix SIHB22N60S-E3封装/规格：MOSFET N-CH 600V 22A TO263。您可以下载SIHB22N60S-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIHB21N65EF-GE3带有引脚细节，包括EF系列，它们设计用于管式封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供D2PAK-3等封装盒功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作1 N通道配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供208 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为42 ns，上升时间为34 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-30 V，Id连续漏极电流为21 A，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Vgs栅极-源极阈值电压为2V，Rds导通漏极-漏极电阻为180mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为68ns，典型接通延迟时间为22ns，Qg栅极电荷为71nC，正向跨导最小值为7S，沟道模式为增强。
SIHB22N60E-GE3是MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在600 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.050717盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及E系列商品名，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为E，器件提供180 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有57 nC的Qg栅极电荷，Pd功耗为227 W，封装为管，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为21A，配置为单一。
SIHB22N60EL-GE3带有电路图，包括卷筒包装，它们设计为使用Si技术操作。
