9icnet为您提供由IXYS设计和生产的FII30-12E，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FII30-12E参考价格为42.015843美元。IXYS FII30-12E封装/规格：IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5。您可以下载FII30-12E英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FII30-06D是30安培600V的IGBT晶体管，包括FII30-106D系列，它们设计用于管式封装，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供ISOPLUS i4 PAC等商品名功能，包装盒设计用于ISOPLUS i4-PAC-5，以及双配置，该器件还可以用作100 W Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件的集电极-发射极电压VCEO Max为600 V，集电极-发射器饱和电压为1.9 V，25 C时的连续集电极电流为30 a，栅极-发射极漏电流为200 nA，并且最大栅极-发射极电压为+/-20V，并且连续集电极电流Ic-Max为40A。
FII2606M，带有Altech制造的用户指南。是端子-附件的一部分，并支持端子电线FERRULE 26AWG/0.14SQMM。
FII30-12D，带有IXYS制造的电路图。FII30-12D在模块包中提供，是模块的一部分。
