9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTP5863NG，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。NTP5863NG价格参考$4.04。onsemi NTP5863NG封装/规格：MOSFET N-CH 60V 97A TO220AB。您可以下载NTP5863NG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NTP5862NG是MOSFET 60V T2 TO220，包括NTP5862N系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.211644盎司，提供通孔等安装方式功能，封装盒设计用于to-220-3，以及Si技术，该设备也可用作1通道数的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有115 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为60 ns，上升时间为70 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为98 a，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs第栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为5.7mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为35ns，典型接通延迟时间为18ns，Qg栅极电荷为82nC，正向跨导Min为18S。
NTP5860NLG是MOSFET，包括60 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计用于0.211644盎司的单位重量，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N沟道，提供晶体管极性特性，如N沟道。技术设计用于Si，以及3 mOhms Rds漏极源极电阻，该器件也可以用作283W Pd功率耗散。此外，包装为散装，设备采用TO-220-3包装箱，设备具有1个通道数，安装方式为通孔，最低工作温度范围为-55℃，最高工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为98 a。
NTP5863N，带有ON制造的电路图。NTP5863 N以TO-220-3封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 60V 97A TO-220AB。
