9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NVMFS4841NT1G，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。NVMFS4841NT1G参考价格为0.52000美元。onsemi NVMFS4841NT1G封装/规格：MOSFET N-CH 30V 16A 5DFN。您可以下载NVMFS4841NT1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NVMFD5877NLWFT1G，带有引脚细节，包括NVMFD587NL系列，它们设计为使用磁带和卷轴（TR）交替包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.001319盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计为在8-PowerTDFN以及Si技术中工作，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有8-DFN（5x6）双标志（SO8FL双非对称）供应商器件封装，配置为双，FET类型为2 N通道（双），最大功率为3.2W，晶体管类型为2 N-通道，漏极到源极电压Vdss为60V，输入电容Ciss Vds为540pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为6A，最大Id Vgs上的Rds为39 mOhm@7.5A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为20nC@10V，Id连续漏极电流为17A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，漏极-源极电阻Rds为39mOhms，晶体管极性为N沟道。
NVMFD5877NLWFT3G带有用户指南，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于2 N沟道晶体管类型，晶体管极性显示在数据表注释中，用于N沟道，提供Si等技术特性，供应商设备包设计用于8-DFN（5x6）双标志（SO8FL双非对称），以及NVMFD587NL系列，该器件也可以用作39 mOhm@7.5A，10V Rds On Max Id Vgs。此外，最大功率为3.2W，该设备采用磁带和卷轴（TR）交替包装包装，该设备具有8-PowerTDFN封装盒，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），通道数量为2通道，安装类型为表面安装，输入电容Cis-Vds为540pF@25V，栅极电荷Qg-Vgs为20nC@10V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为60V，电流连续漏极Id 25°C为6A。
NVMFD5C470NT1G，电路图由ON SEMICONDUCTOR制造。是IC芯片的一部分。
