9icnet为您提供由onsemi设计和生产的SCH1434-TL-H，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SCH1434-TL-H参考价格为0.11000美元。onsemi SCH1434-TL-H封装/规格：MOSFET N-CH 30V 2A 6SCH。您可以下载SCH1434-TL-H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SCH1433-TL-W带有引脚细节，包括卷筒包装，设计用于0.000289 oz单位重量的操作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供SOT-563-6等封装盒功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单四漏极配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供800 mW Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，下降时间为28 ns，上升时间为19 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-10 V，Id连续漏极电流为3.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，并且Vgs第栅极-源极阈值电压为400mV，Rds漏极-源极电阻为149mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型接通延迟时间为6.2ns，Qg栅极电荷为2.8nC，正向跨导Min为1.68S，沟道模式为增强。
带有用户指南的SCH1430-TL-W，包括400 mV Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-12 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于20 V，具有0.000289 oz等单位重量特性，典型开启延迟时间设计为5.1 ns，该器件还可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为11 ns，器件的漏极-源极电阻为310 mOhms，Qg栅极电荷为1.8 nC，Pd功耗为800 mW，封装为卷轴式，封装外壳为SOT-563-6，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为2A，下降时间为12ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SCH1433-TL-H是MOSFET功率MOSFET，包括单一配置，它们设计为在3.5A Id连续漏电流下工作，其最大工作温度范围为+150 C，提供SMD/SMT等安装方式功能，通道数设计为在1个通道中工作，以及to-252-3封装盒，该器件也可用作卷筒封装。此外，Pd功耗为800 mW，该器件提供49 mOhms Rds漏极-源极电阻，该器件具有SCH1433系列，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道、单位重量为0.13932 oz，Vds漏极源极击穿电压为20 V，Vgs栅极-源极电压为10 V。
SCH1433-S-TL-H是MOSFET N-CH 20V 3.5A SCH6，包括SOT-563-6封装盒，它们设计为采用SMD/SMT安装方式工作。数据表说明中显示了用于Si的技术，提供了SCH1433-S TL-H等系列功能，封装设计为在卷轴中工作，以及N沟道晶体管极性，该器件还可以用作800 mW Pd功耗。此外，Rds漏极-源极电阻为64 mOhms，器件提供3.5 A Id连续漏极电流，器件具有20 V Vds漏极源极击穿电压，晶体管类型为1 N沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.000289盎司。
