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IPW50R199CP是MOSFET N-Ch 500V 17A TO247-3 CoolMOS CP，包括CoolMOS系列CP，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPW50R199CPFKSA1 IPW50R1 99CPXK SP000236096，其提供单位重量功能，如1.340411盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-247-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为139 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为14 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为17A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds导通漏极-漏极电阻为199mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为80ns，典型接通延迟时间为35ns，沟道模式为增强。
IPW50R250CP是MOSFET N-CH 500V 13A TO-247，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在500 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于1.340411盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如35 ns，典型的关闭延迟时间设计为80 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为CoolMOS，该器件采用Si技术，该器件具有串联的CoolMOS CP，上升时间为14ns，漏极-源极电阻Rds为250mOhms，Pd功耗为114W，部件别名为IPW50R250CPFKSA1 IPW50R150CPXK SP000301162，包装为管，包装箱为TO-247-3，通道数为1通道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为13 A，下降时间为11 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IPW50R280CE是MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO247，包括单一配置，它们设计为在13A Id连续漏电流下工作，其最大工作温度范围为+150 C，提供安装类型特征，如通孔、通道数量设计为在1个通道中工作，以及to-247-3封装盒，该装置也可以用作管包装。此外，部件别名为IPW50R280CEFKSA1 IPW50R180CEXK SP000850804，该器件提供92 W Pd功耗，该器件具有32.6 nC的Qg栅极电荷，Rds漏极源极电阻为280 mOhm，系列为CoolMOS CE，技术为Si，商品名为CoolOS，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道，单位重量为1.340411盎司，Vds漏极-源极击穿电压为500伏，Vgs栅极-源极电压为20伏。
IPW50R250CPFKSA1是MOSFET N-Ch 500V 13A TO247-3 CoolMOS CP，包括XPW50R250系列，它们设计用于管式封装，封装盒如数据表注释所示，用于to-247-3，提供Si等技术特性，晶体管极性设计用于N沟道，以及IPW50R150CP IPW50R2 50CPXK SP000301162零件别名，该设备也可以用作CoolMOS商标。此外，Vds漏极-源极击穿电压为500 V，该器件提供1 N沟道晶体管类型，该器件具有1个沟道数的沟道。
