描述
这种P沟道2.5V指定MOSFET是在Fairchild半导体先进的PowerTrench工艺的坚固栅极版本中生产的。它已被优化
适用于各种栅极驱动电压（2.5V–12V）的电源管理应用。
特征
•–1.5 A，–20 V Rds（开）=0.145Ω@ Vgs=–4.5 V
Rds（开）=0.210Ω@ Vgs=–2.5 V
•低栅极电荷
•用于极低Rd的高性能沟槽技术（开启）
•紧凑型行业标准SC70-6表面安装组件
描述
这种P沟道2.5V指定MOSFET是在Fairchild半导体先进的PowerTrench工艺的坚固栅极版本中生产的。它已被优化
适用于各种栅极驱动电压（2.5V–12V）的电源管理应用。
特征
•–1.5 A，–20 V Rds（开）=0.145Ω@ Vgs=–4.5 V
Rds（开）=0.210Ω@ Vgs=–2.5 V
•低栅极电荷
•用于极低Rd的高性能沟槽技术（开启）
•紧凑型行业标准SC70-6表面安装组件
特色
- -1.5安培，-20伏
- RDS（开）=0.145Ω@VGS=-4.5 V
- RDS（开）=0.210Ω@VGS=-2.5 V
- 低栅极电荷
- 用于极低RDS（ON）的高性能沟槽技术
- 紧凑型行业标准SC70-6表面安装封装
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
