久芯网

NP160N04TUG-E1-AY

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 160A(Tc) 最大功耗: 1.8W(Ta)、220W(Tc) 供应商设备包装: TO-263-7 工作温度: 175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥7.70645
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥7.71
在线询价

温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 供应商设备包装 TO-263-7
  • 漏源电压标 (Vdss) 40伏
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 270 nC@10 V
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 160A(Tc)
  • 工作温度 175摄氏度(TJ)
  • 包装/外壳 到263-7,DPak(6条引线+标签)
  • 导通电阻 Rds(ON) 2毫欧姆@80A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 15750 pF@25 V
  • 最大功耗 1.8W(Ta)、220W(Tc)

NP160N04TUG-E1-AY 产品详情

特色


•超低导通电阻
RDS(开)=1.6 mΩ典型值/最大2.0 mΩ(VGS=10 V,ID=80 A)
•高额定电流
ID(DC)=±160 A

NP160N04TUG-E1-AY所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NP160N04TUG-E1-AY 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NP160N04TUG-E1-AY价格参考¥7.706446,你可以下载 NP160N04TUG-E1-AY中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NP160N04TUG-E1-AY规格参数、现货库存、封装信息等信息!

瑞萨电子 (Renesas)

瑞萨电子 (Renesas)

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器...

展开
会员中心 微信客服
客服
回到顶部