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AON2408是MOSFET N CH 20V 8A DFN 2x2B，包括Digi-ReelR交替封装，它们设计用于6-UDFN暴露焊盘封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商器件封装设计用于6-DFN-EP（2x2），以及MOSFET N沟道，金属氧化物FET型，该器件也可以用作2.8W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为20V，该器件提供782pF@10V输入电容Ciss Vds，该器件具有逻辑电平门，FET特性的2.5V驱动，25°C的电流连续漏极Id为8A（Ta），最大Id Vgs的Rds为14.5mOhm@8A，4.5V，Vgs最大Id为1.2V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为7nC@4.5V。
AON2405是由AOS制造的MOSFET P-CH 20V 8A 6DFN。AON2405采用6-UDFN暴露焊盘封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET P-CH 20V 8A 6DFN、P沟道20V 8A（Ta）2.8W（Ta）表面安装6-DFN-EP（2x2）、Trans MOSFET P-CH20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R。
AON2701是由AO制造的MOSFET P-CH 20V 3A 6DFN。AON2701采用6-WDFN暴露焊盘封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH20V 3A 6DFN、P沟道20V 3A（Ta）1.5W（Ta）表面安装6-DFN-EP（2x2）、Trans MOSFET P-CH220V 3A 6-Pin DFN-EP。
AON2701L，带有AOS制造的EDA/CAD模型。AON2701L采用QFN封装，是IC芯片的一部分。
