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AON6242是MOSFET N-CH 60V 18.5A DFN5X6，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计为与8-PowerSMD、扁平引线封装外壳一起工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商器件封装设计为在8-DFN（5x6）中工作，金属氧化物FET型，该器件也可以用作2.3W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为60V，该器件提供6370pF@30V输入电容Ciss Vds，该器件具有FET特性标准，25°C的电流连续漏极Id为18.5A（Ta），85A（Tc），最大Id Vgs的Rds为3.6mOhm@20A，10V，Vgs th最大Id为2.5V@250μa，栅极电荷Qg Vgs为72nC@10V。
AON6232是MOSFET N-CH 40V 22A 8DFN，包括2.3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与8-DFN（5x6）供应商设备包一起工作，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于2.5 mOhm@20A，10V，提供2.3W等功率最大功能，封装设计为在Digi-ReelR替代封装中工作，以及8-PowerSMD，扁平引线封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供3800pF@20V输入电容Cis Vds，器件具有51nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为40V，25°C的电流连续漏极Id为22A（Ta），85A（Tc）。
AON6240是MOSFET N-CH 40V 27A 8DFN，包括27A（Ta）、85A（Tc）电流连续漏极Id 25°C，设计用于40V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了标准中使用的FET特性，该标准提供FET类型特性，如MOSFET N沟道、金属氧化物、栅极电荷Qg Vgs，除了6550pF@20V输入电容Cis Vds之外，该设备还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该设备采用8-PowerSMD扁平引线封装盒，该设备具有Digi-ReelR交替封装，最大功率为2.3W，最大Id Vgs的Rds为1.6mOhm@20A，10V，供应商设备包为8-DFN（5x6），Vgs th Max Id为2.4V@250μA。
AON6236是ALPHA制造的MOSFET N-CH 40V 19A 8DFN。AON6236可提供8-PowerSMD扁平引线封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 40V 19A 8DFN、N沟道40V 19B（Ta）、30A（Tc）4.2W（Ta）和39W（Tc）表面安装8-DFN（5x6）、Trans MOSFET N-CH40V 30A 8-Pin DFN EP T/R。
