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NP22N055SHE-E1-AY

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A(Ta) 最大功耗: 1.2W(Ta)、45W(Tc) 供应商设备包装: TO-252 (MP-3ZK) 工作温度: 175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥16.29653
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥16.30
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规格参数

  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 漏源电压标 (Vdss) 55 V
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 工作温度 175摄氏度(TJ)
  • 部件状态 过时的
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 18 nC@10 V
  • 供应商设备包装 TO-252 (MP-3ZK)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 22A(Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 39毫欧姆 @ 11A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 890 pF @ 25 V
  • 最大功耗 1.2W(Ta)、45W(Tc)

NP22N055SHE-E1-AY 产品详情

NP22N055SHE-E1-AY所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NP22N055SHE-E1-AY 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NP22N055SHE-E1-AY价格参考¥16.296525,你可以下载 NP22N055SHE-E1-AY中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NP22N055SHE-E1-AY规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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