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AON6444是MOSFET N-CH 60V 5X6DFN，包括SDMOS？系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，包装箱如数据表注释所示，用于8-PowerSMD，扁平引线，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及8-DFN（5x6）供应商设备包，该设备也可以用作MOSFET N沟道，金属氧化物FET类型。此外，最大功率为2.3W，该器件提供60V漏极到源极电压Vdss，该器件具有5800pF@30V的输入电容Cis-Vds，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为14A（Ta），81A（Tc），Rds On Max Id Vgs为6.5mOhm@20A，10V，Vgs th Max Id为2.5V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为96nC@10V。
AON6442是由AOS制造的MOSFET N-CH 40V 22A DFN5X6。AON6442可提供8-PowerSMD扁平引线封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 40V 22A DFN5X6、N沟道40V 22B（Ta）、32A（Tc）4.2W（Ta），35.7W（Tc）表面安装8-DFN（5x6）、Trans MOSFET N-CH40V 65A 8引脚DFN EP。
AON6442L，电路图由AOS制造。AON6442L采用DFN5x6封装，是IC芯片的一部分。
