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NP60N04MUG-S18-AY
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 1.8W(Ta)、88W(Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: 175摄氏度(TJ)
- 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥60.04364
-
数量:
- +
- 总计: ¥60.04
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规格参数
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
- 安装类别 通孔
- 包装/外壳 至220-3
- 漏源电压标 (Vdss) 40伏
- 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
- 供应商设备包装 TO-220
- 工作温度 175摄氏度(TJ)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 60 nC @ 10 V
- 部件状态 过时的
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3200 pF @ 25 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 60A (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 6.3毫欧姆 @ 30A, 10V
- 最大功耗 1.8W(Ta)、88W(Tc)
NP60N04MUG-S18-AY 产品详情
NP60N04MUG-S18-AY所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NP60N04MUG-S18-AY 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NP60N04MUG-S18-AY价格参考¥60.043641,你可以下载 NP60N04MUG-S18-AY中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NP60N04MUG-S18-AY规格参数、现货库存、封装信息等信息!
瑞萨电子 (Renesas)
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器...