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5LP01M-TL-H是MOSFET P-CH 50V 70MA MCP,包括5LP01M系列,它们设计用于卷筒包装,单位重量如数据表注释所示,用于0.004395盎司,提供SMD/SMT等安装方式功能,封装盒设计用于SOT-323-3以及Si技术,该器件也可用作1通道数的通道。此外,该配置为单一配置,该器件为1 P沟道晶体管类型,该器件具有150 mW的Pd功耗,其最大工作温度范围为+150 C,其最小工作温度范围是-55 C,Vgs栅极-源极电压为10 V,Id连续漏极电流为-70 mA,Vds漏极-源极击穿电压为-50 V,Rds漏极-源极电阻为18欧姆,晶体管极性为P沟道。
5LP01M-TL-E是MOSFET PCH 1.5V DRIVE系列,包括-50 V Vds漏极-源极击穿电压,其设计工作单位重量为124600 mg。数据表说明中显示了用于1个P沟道的晶体管类型,提供晶体管极性特性,如P沟道,技术设计用于Si,以及5LP01M系列,该器件也可以用作23欧姆Rds漏极-源极电阻。此外,包装为卷筒式,该设备采用SOT-323-3包装箱,该设备具有1个通道数,Id连续漏电流为-70 mA。
5LP01SP是MOSFET PCH,包括1个通道数量的通道,它们设计用于批量封装,系列如数据表注释所示,用于5LP01SP,提供Si等技术特性,晶体管极性设计用于P通道以及1个P通道晶体管类型。
5LP01M-TL-HX带有EDA/CAD模型,包括Si技术,设计用于卷筒包装,数据表注释中显示了5LP01M-TL-HX中使用的系列。